根据中国科学院发布的消息，著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院微电子研究所名誉所长、中科院院士、我校著名校友王守武先生因病医治无效，于北京时间2014年7月30日16时15分在美国逝世，享年95岁。
      王守武先生1919年3月15日出生于江苏省苏州市，4岁时随家迁往上海，1934年举家又迁回苏州。1935年9月入同济大学预科班学习，一年后转入机电系，1941年春天在同济大学获“工程科学”学士学位，1943年受聘回已迁往四川李庄的同济大学任教。1945年10月赴美留学，至1949年2月在普渡大学（Purdue University）研究生院相继获得硕士、博士学位。1950年至1956年任中国科学院应用物理研究所（现物理研究所）副研究员、研究员兼电学组组长。1956年至1960年任我国第一个半导体研究室的室主任、研究员。1960年至1982年任中国科学院半导体研究所研究员兼业务副所长。1980年当选为中国科学院院士。1980年至1986年兼任中国科学院109厂厂长。1982年至今任中国科学院半导体研究所研究员。1983年任国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长，国家科委半导体专业组组长。1986年至今任中国科学院微电子中心名誉主任、中国科学院微电子研究所名誉所长。1956年起，他曾先后兼任清华大学无线电系半导体教研组第一任主任兼教授，中国科技大学技术物理系副主任兼教授，北京大学、复旦大学兼职教授，成都电子科技大学名誉教授，以及中国科学院研究生院终身教授等职。他是第三、四届全国人大代表，第五、六、七届全国政协委员。
      王守武先生在半导体科学领域成果丰硕。他组织领导并亲自参加了我国第一台单晶炉的设计，第一根锗单晶的拉制，第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1958 年他亲自创建中国科学院109厂，实现了锗高频晶体管的批量生产。他的卓越贡献也为他赢得了诸多荣誉，曾荣获中国科学院1979年和1981年科研成果一等奖、中国科学院1985年科技进步二等奖、中国科学院1990年科技进步二等奖、1987年国家科学技术进步二等奖、何梁何利基金2000年度科学与技术进步奖。1979年获全国劳动模范称号。
      王守武先生把发展我国半导体科学事业视为已任，兢兢业业为之奋斗了一生。他远见卓识，富于开创精神，勇于以学科发展中的关键课题和影响大的问题为目标，开拓新研究领域；他事业心强，奋发努力，从不满足已有成果，不断为自己提出新课题，并都以发展国民经济、增强综合国力为出发点；他对工作十分认真，重视实践，讲究实效，严格按科学规律办事；他为人忠厚、诚实，待人谦和，作风民主，无论是在学术讨论中，或做其他工作时，总是谦虚谨慎，平等待人。他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重。
      王守武先生虚怀若谷，克己奉公，严于律己，宽厚待人，对党、对国家、对人民无限忠诚。他用无私奉献谱写了精彩人生，为我们树立了光辉榜样。他的一生是为科学事业不懈奋斗的一生，他的逝世是科学界的一大损失，我们深切怀念王守武先生，沉痛悼念王守武先生！

      链接：《二十世纪中国知名科学家学术成就概览》物理卷——王守武